- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380164 > CY62128EV30LL-45ZAXI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 1 Mbit (128K x 8) Static RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY62128EV30LL-45ZAXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | CY62128EV30LL-45ZAXI |
Document #: 38-05579 Rev. *C
Page 11 of 11
CY62128EV30 MoBL
Document History Page
Document Title: CY62128EV30 MoBL
1 Mbit (128K x 8) Static RAM
Document Number: 38-05579
REV.
ECN NO.
Issue Date Orig. of
Change
**
285473
See ECN
*A
461631
See ECN
Description of Change
PCI
NXR
New Data Sheet
Converted from Preliminary to Final
Removed 35 ns Speed Bin
Removed “L” version of CY62128EV30
Removed Reverse TSOP I package from Product offering.
Changed I
CC (Typ)
from 8 mA to 11 mA and I
CC (Max)
from 12 mA to 16 mA for f = f
max
Changed I
CC (max)
from 1.5 mA to 2.0 mA for f = 1 MHz
Changed I
SB2 (max)
from 1
μ
A to 4
μ
A
Changed I
SB2 (Typ)
from 0.5
μ
A to 1
μ
A
Changed I
CCDR (max)
from 1
μ
A to 3
μ
A
Changed the AC Test load Capacitance value from 50 pF to 30 pF
Changed t
LZOE
from 3 to 5 ns
Changed t
LZCE
from 6 to 10 ns
Changed t
HZCE
from 22 to 18 ns
Changed t
PWE
from 30 to 35 ns
Changed t
SD
from 22 to 25 ns
Changed t
LZWE
from 6 to 10 ns
Updated the Ordering Information table.
Updated the Block Diagram on page # 1
Added final Automotive-A and Automotive-E information
Added footnote #9 related to I
SB2
and I
CCDR
Updated Ordering Information table
*B
*C
464721
1024520
See ECN
See ECN
NXR
VKN
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62128EV30LL-45ZXA | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128EV30LL-45ZXI | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128EV30LL-55ZXE | 1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128E | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128ELL | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62128EV30LL-45ZAXIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M MOBL ULTRA LO PWR HI SPD IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128EV30LL-45ZXA | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M/512K FAST ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128EV30LL-45ZXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M/512K FAST ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128EV30LL-45ZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M MOBL ULTRA LO PWR HI SPD IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128EV30LL-45ZXI_ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。