參數(shù)資料
型號(hào)： CY62128DV30LL-55SI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Mb (128K x 8) Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.450 INCH, SOIC-32
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商： CY62128DV30LL-55SI
CY62128DV30
MoBL
Document #: 38-05231 Rev. *C
Page 4 of 11
AC Test Loads and Waveforms
Data Retention Characteristics
Data Retention Waveform
Note:
7.
Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 100 us.
Thermal Resistance
Parameter
θ
JA
θ
JC
Description
Test Conditions
SOIC TSOP I STSOP Unit
69
93
34
17
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
[6]
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
Thermal Resistance (Junction to Case)
[6]
two-layer printed circuit board
65
15
°C/W
°C/W
V
CC
Typ
V
CC
OUTPUT
R2
C = 50 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
TH
Equivalent to:
TH
éVENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Rise Time:
1 V/ns
Fall Time:
1 V/ns
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V (2.7
–
3.6V)
1103
1554
645
1.75
Unit
V
2.5V (2.2
–
2.7V)
16600
15400
8000
1.2
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
Min.
1.5
Typ.
[5]
Max. Unit
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
μ
A
V
CC
= 1.5V, CE
1
> V
CC
0.2V, CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
0.2V or V
IN
< 0.2V
L
LL
4
3
t
CDR[5]
t
R[7]
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
ns
μ
s
100
V
CC(min.)
t
R
V
CC(min.)
t
CDR
V
DR
> 1.5V
DATA RETENTION MODE
CE
1
or
V
CC
CE
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62128DV30LL-55ZAI 1 Mb (128K x 8) Static RAM
CY62128-55SC 128K x 8 Static RAM
CY62128-55VC 128K x 8 Static RAM
CY62128-55ZC 128K x 8 Static RAM
CY62128-70SC Metal Connector Backshell; Connector Shell Size:E; Enclosure Material:Zinc; Leaded Process Compatible:Yes; For Use With:9-Position Standard or 15-Position High-Density D-Subminiature Connectors RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62128DV30LL-55SXI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62128DV30LL-55SXIT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62128DV30LL-55ZAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin STSOP-I 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1MB (128K X 8)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
CY62128DV30LL-55ZAIT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62128DV30LL-55ZAXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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