參數(shù)資料
型號(hào)： CY62128DV30LL-55SI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Mb (128K x 8) Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.450 INCH, SOIC-32
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商： CY62128DV30LL-55SI
CY62128DV30
MoBL
Document #: 38-05231 Rev. *C
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Document History Page
Document Title: CY62128DV30 MoBL
1 Mb (128K x 8) Static RAM
Document Number: 38-05231
REV.
**
*A
ECN NO.
117691
127314
Issue Date
08/27/02
5/27/03
Orig. of
Change
JUI
MPR
Description of Change
New Data Sheet
Changed from Advance Information to Preliminary
Changed Isb2 to 5 uA (L), 4 uA (LL)
Changed Iccdr to 4 uA (L), 3 uA (LL)
Changed Cin from 6 pF to 8 pF
Changed from Preliminary to Final
Add 70-ns speed, updated ordering information
Changed Icc 1 MHz typ from 0.5 mA to 0.85 mA
*B
128342
07/23/03
JUI
*C
129002
08/29/03
CDY
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62128DV30LL-55ZAI 1 Mb (128K x 8) Static RAM
CY62128-55SC 128K x 8 Static RAM
CY62128-55VC 128K x 8 Static RAM
CY62128-55ZC 128K x 8 Static RAM
CY62128-70SC Metal Connector Backshell; Connector Shell Size:E; Enclosure Material:Zinc; Leaded Process Compatible:Yes; For Use With:9-Position Standard or 15-Position High-Density D-Subminiature Connectors RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62128DV30LL-55SXI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62128DV30LL-55SXIT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62128DV30LL-55ZAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin STSOP-I 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1MB (128K X 8)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
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