參數(shù)資料
型號(hào)： CY62126DV30L-55BVI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 398K
代理商： CY62126DV30L-55BVI
CY62126DV30
MoBL
Document #: 38-05230 Rev. *E
Page 8 of 11
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)
[17, 18]
Write Cycle No. 4 (BHE-/BLE-controlled, OE LOW)
[17, 18]
Switching Waveforms
(continued)
DATA
IN
VALID
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
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t
HZWE
CE
ADDRESS
WE
DATAI/O
NOTE 19
t
BW
BHE/BLE
DATA I/O
ADDRESS
t
HD
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SD
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SA
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HA
t
AW
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WC
CE
WE
DATA
IN
VALID
NOTE 19
t
BW
BHE/BLE
t
SCE
t
PWE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62126DV30LL-70ZSI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-70ZSXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126BV 64K x 16 Static RAM
CY62126BVLL-55BAI 64K x 16 Static RAM
CY62126BVLL-55ZI 64K x 16 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62126DV30L-55BVIT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin VFBGA T/R
CY62126DV30L-55BVXE 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 64K X 16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62126DV30L-55BVXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 64K X 16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62126DV30L-55ZI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1MB (64K X 16)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
CY62126DV30L-55ZIT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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