參數(shù)資料
型號: CY22E016L-SZ25XCT
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 16-Kbit (2K x 8) nvSRAM
中文描述: 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO28
封裝: 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
文件頁數(shù): 10/14頁
文件大?。?/td> 748K
代理商: CY22E016L-SZ25XCT
PRELIMINARY
CY22E016L
Document #: 001-06727 Rev. *C
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Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled
[12,13]
Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled
Note:
13.CE or WE must be > V
IH
during address transitions.
Switching Waveforms
(continued)
t
WC
t
SCE
t
HA
t
AW
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
ADDRESS
CE
WE
DATA IN
DATA OUT
DATA VALID
HIGH IMPEDANCE
PREVIOUS DATA
t
WC
ADDRESS
t
SA
t
SCE
t
HA
t
AW
t
PWE
t
SD
t
HD
CE
WE
DATA IN
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
DATA VALID
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相關PDF資料
PDF描述
CY22E016L-SZ35XCT 16-Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ35XIT 16-Kbit (2K x 8) nvSRAM
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參數(shù)描述
CY22E016L-SZ25XI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ25XIT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ35XC 功能描述:NVRAM nvSRAM 2Kx8 5V COM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY22E016L-SZ35XCT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ35XI 功能描述:NVRAM nvSRAM 2Kx8 5V IND RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube