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參數(shù)資料
| 型號： | CY14B104N-BA25XI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 9/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | CY14B104N-BA25XI |
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 9 of 21
Thermal Resistance
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
48-FBGA 44-TSOP II 54-TSOP II
TBD
TBD
Unit
°
C/W
Test conditions follow standard test methods
and procedures for measuring thermal
impedance, in accordance with EIA/JESD51.
TBD
Θ
JC
TBD
TBD
TBD
°
C/W
AC Test Loads
3.0V
OUTPUT
5 pF
R1 577
R2
789
3.0V
OUTPUT
30 pF
R1 577
R2
789
for tri-state specs
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY14B104L | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-BV45XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZS15XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZS15XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZS25XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY14B104N-BA25XIT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 25ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA45XC | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA45XCES | 功能描述:NVRAM nvSRAM 256Kx16 3V RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA45XCT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA45XI | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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