型號: | CY14B104N-BA25XI |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
中文描述: | 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PBGA48 |
封裝: | 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48 |
文件頁數(shù): | 16/21頁 |
文件大?。?/td> | 371K |
代理商: | CY14B104N-BA25XI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY14B104L | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
CY14B104L-BV45XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
CY14B104L-ZS15XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
CY14B104L-ZS15XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
CY14B104L-ZS25XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY14B104N-BA25XIT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 25ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
CY14B104N-BA45XC | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
CY14B104N-BA45XCES | 功能描述:NVRAM nvSRAM 256Kx16 3V RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
CY14B104N-BA45XCT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
CY14B104N-BA45XI | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 45ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |