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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY14B104L-ZSP25XI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/21頁(yè) |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | CY14B104L-ZSP25XI |
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CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
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Data Protection
The CY14B104L/CY14B104N protects data from corruption
during low-voltage conditions by inhibiting all externally
initiated STORE and write operations. The low voltage
condition is detected when V
CC
< V
SWITCH
. If the
CY14B104L/CY14B104N is in a write mode (both CE and WE
low) at power up, after a RECALL, or after a STORE, the write
will be
inhibited until a negative transition on CE or WE is
detected. This protects against inadvertent writes during
power up or brown out conditions.
Noise Considerations
Refer CY Application Note AN1064.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY14B104L-ZSP25XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY14B104L-ZSP25XIT | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XCT | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104L-ZSP45XIT | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104M | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |
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