參數(shù)資料
型號(hào)： CY14B104L-ZS15XIT
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
中文描述： 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 7/21頁(yè)
文件大小： 371K
代理商： CY14B104L-ZS15XIT
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 7 of 21
Data Protection
The CY14B104L/CY14B104N protects data from corruption
during low-voltage conditions by inhibiting all externally
initiated STORE and write operations. The low voltage
condition is detected when V
CC
< V
SWITCH
. If the
CY14B104L/CY14B104N is in a write mode (both CE and WE
low) at power up, after a RECALL, or after a STORE, the write
will be
inhibited until a negative transition on CE or WE is
detected. This protects against inadvertent writes during
power up or brown out conditions.
Noise Considerations
Refer CY Application Note AN1064.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY14B104L-ZS25XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104L-ZS25XI 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104L-ZS25XIT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104L-ZS45XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104L-ZS45XI 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY14B104L-ZS20XC 功能描述:NVRAM 512Kb x 8, 2.7-3.6V 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104L-ZS20XCT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104L-ZS20XI 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104L-ZS20XIT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104L-ZS25XC 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 25ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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