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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK5T8257BYM-10LLX |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 32768字× 8位高速CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | CXK5T8257BYM-10LLX |
– 8 –
CXK5T8257BTM/BYM/BM
V
CC
2.7V
2.2V
V
DR
CE
GND
t
CDRS
Data retention mode
t
R
CE
≥
V
CC
– 0.2V
Data Retention Waveform
Low supply voltage data retention waveform
Data retention voltage
Data retention current
Data retention
setup time
Recovery time
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
t
CDRS
t
R
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 2.0 to 3.6V
CE
≥
V
CC
– 0.2V
Chip disable to data
retention mode
2
—
—
—
—
0
5
—
—
—
0.1
0.12
1
—
—
3.6
6
3
—
7.0
—
—
V
μA
ns
ms
Item
Symbol
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Data Retention Characteristics
(Ta = –25 to +85°C)
1
V
CC
= 3.3V, Ta = 25°C
V
CC
= 3.0V
CE
≥
2.8V
–25 to +85°C
–25 to +70°C
+25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK5T8257BYM-12LLX | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8257BM | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8257BM-10LLX | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8257BM-12LLX | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8257BTM | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK5T8257BYM-12LLX | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8512TM | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8512TM/TN-10LLX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:65536-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8512TM/TN-12LLX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:65536-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T8512TM-10LLX | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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