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參數(shù)資料
| 型號： | CXK591000YM-10LL |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 131,072-word X 9-bit High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 131,072字× 9位高速CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | CXK591000YM-10LL |
– 9 –
CXK591000TM/YM/M
Data retention
voltage
Data retention
setup time
Recovery time
1
CE1
≥
Vcc – 0.2V, CE2
≥
Vcc – 0.2V (CE1 control) or CE2
≤
0.2V (CE2 control)
2
V
CC
= 5V, Ta = 25°C
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
t
CDRS
t
R
1
0 to +70°C
0 to +40°C
+25°C
V
CC
= 2.0 to 5.5V
1
Chip disable to data retention
mode
2.0
—
—
—
—
0
5
—
—
—
0.5
0.8
2
—
—
5.5
14
3
1.4
24
—
—
V
μA
μA
ns
ms
Item
Symbol
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70°C)
Data retention
current
V
CC
= 3.0V
1
V
CC
4.5V
2.2V
V
DR
CE1
GND
t
CDRS
Data retention mode
CE1
≥
V
CC
– 0.2V
t
R
Data retention mode
t
R
t
CDRS
CE2
≤
0.2V
V
CC
4.5V
0.4V
CE2
V
DR
GND
Data retention waveform
Low supply voltage data retention waveform (1) (CE1 control)
Low supply voltage data retention waveform (2) (CE2 control)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK591000YM-55LL | 131,072-word X 9-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK591000YM-70LL | 131,072-word X 9-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5B16120TM-12 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| CXK5B16120J | 65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
| CXK5B16120J-12 | 65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK591000YM-55LL | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131,072-word X 9-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK591000YM-70LL | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131,072-word X 9-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK59288J-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 SRAM |
| CXK59288P-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 SRAM |
| CXK59288P-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 SRAM |
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