參數(shù)資料
型號(hào)： CSD1306E
廠商： Continental Device India Limited
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： CSD1306E
CSD1306
(SAW)
SOT-23
Formed SMD Package
CSD1306ERev_3 300103E
Tape Specification for SOT-23 Surface Mount Device
SOT-23 Formed SMD Package
SOT-23 Package Reel Information
Reel Specifications for W Packing (13") and 7"
±0.05
±0.05
1.0
±0.1
1.22
±0.10
2.77
±0.05
3.5
±0.1
±0.05
2.0
1.6
MAX
8.0
4.0
±0.1
±0.1
1.75
4.0
1.55
- 0.1
5.75
MAX
3.15
Direction of Unreeling
All dimensions in mm
329.2±0.5 / 178 ±0.5
14.4
MAX
7.9 – 10.9
T
F
T
L
9.2±0.5
100.0±0.5 / 54.5 ±0.5
2.0±0.5
20.2 MIN
DETAIL X
13.0
–0.2
180
or
330
All dimensions in mm
330 / 180 mm– Antistatic Coated Plastic Reel
NOTES:
No. of Devices
8mm Tape
Size of Reel
330 mm(13")
10,000 Pcs
8mm Tape
Size of Reel
180 mm(7")
3,000 Pcs
1.
2.
3.
The bandolier of 330 mmreel contains at least 10,000 devices.
The bandolier of 180 mmreel contains at least 3,000 devices.
No more than 0.5% mssing devices / reel. 50 empty compartments for 330 mmreel.
15 empty compartments for 180 mmreel.
Three consecutive empty places mght be found provided this gap is followed by 6
consecutive devices.
The carrier tape (leader) starts with at least 75 empty positions (equivalent to 330 mm.
In order to fix the carrier tape a self adhesive tape of 20 to 50 mmis applied. At the end
of the bandolier at least 40 empty positions (equivalent to 160 mm are there.
4.
5.
± 0.02
± 0.02
0.60
1.30
0.60
7°
0.08
PARTING LINE
RO.08
0.21
6°
7°
5°±3"
±0.05
2.50
±4"
±
0
0.08
R0.08
±
±
0
0
±
0
± 0.02
2.50
0.60
+
-
0
3
1.30
±0.05
±0.025
±0.02
3°
3°
0.60
±
2
1
±
cL
1
2
SOT-23 T&R
3K/reel
10K/reel
136 gm/3K pcs
415 gm/10K pcs
3" x 7.5" x 7.5"
9" x 9" x 9"
13" x 13" x 0.5"
12 K
51 K
10 K
17" x 15" x 13.5"
19" x 19" x 19"
17" x 15" x 13.5"
192 K
408 K
300 K
12 kgs
28 kgs
16 kgs
PACKAGE
Net Weight/Qty
Details
STANDARD PACK
INNER CARTON BOX
Qty
OUTER CARTON BOX
Qty
Gr Wt
Size
Size
Packing Detail
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CSD1306F NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CSD1489 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
CSB1058 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
CSD655 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
CSD880 Audio Frequency Power Amplifier Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CSD1306F 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CSD1314 制造商:C&K Components 功能描述:
CSD13201W10 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CSD13202Q2 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:12V N-Channel NexFETa?￠ Power MOSFETs
CSD13303W1015 制造商:Texas Instruments 功能描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商:Texas Instruments 功能描述:MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET 制造商:Texas Instruments 功能描述:12/08 N-CHANNEL CSP
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