參數(shù)資料
型號： CSD1306F
廠商： Continental Device India Limited
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： CSD1306F
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CSD1306
(SAW)
SOT-23
Formed SMD Package
Marking
CSD1306E=06
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Collector Current Peak
Power Dissipation @ T
a
=25oC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
UNITS
V
V
V
mA
A
mW
T
j,
T
stg
oC
Electrical Characterstics (T
a
=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut off Current
Emitter Cut off Current
Base Emitter On Voltage
Collector Emitter Saturation
Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE (on)
CONDITIONS
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1
μ
A, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=150mA
MIN
30
15
5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
V
1.0
1.0
1.0
V
CE (sat)
I
C
=500mA, I
B
=50mA
0.5
V
h
FE
f
T
C
ob
C
ib
V
CE
=1V, I
C
=150mA
V
CE
=1V, I
C
=150mA,
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, I
C
=0, f=1MHz
250
1200
250
MHz
pF
pF
10
100
h
FE
Classification
CSD1306ERev_3 300103E
D : 250 - 500 E : 300 - 800 F : 600 -1200
1
VALUE
30
15
5
700
200
- 55 to +150
PIN CONFIGURATION (NPN)
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
2
1
3
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L-000019.3
Continental Device India Limited
Data Sheet
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PDF描述
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