參數(shù)資料
型號： CS19
廠商： IXYS Corporation
英文描述： Phase Control Thyristor
中文描述： 相位控制晶閘管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： CS19
2001 IXYS All rights reserved
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
Phase Control Thyristor
ISOPLUS220
TM
Electrically Isolated Back Surface
* Patent pending
ISOPLUS220
TM
3
2
Isolated back surface *
1
A
C
G
CS 19
V
RRM
I
T(RMS)
I
T(AV)M
= 800 - 1200 V
= 35 A
= 13 A
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
V
RSM
V
DSM
V
V
RRM
V
DRM
V
Type
800
1200
800
1200
CS 19-08ho1C
CS 19-12ho1C
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
I
T(RMS)
I
T(AV)M
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85
C; 180
°
sine
35
13
A
A
I
TSM
T
VJ
= 45
°
C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
100
105
A
A
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
85
90
A
A
I
2
t
T
VJ
= 45
°
C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
50
45
A
2
s
A
2
s
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
36
33
A
2
s
A
2
s
(di/dt)
cr
T
VJ
= T
VJM
f = 50
Hz, t
P
=200
μ
s
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
=0.08 A
di
G
/dt = 0.08 A/
μ
s
repetitive, I
T
= 20 A
100
A/
μ
s
non repetitive, I
T
= I
T(AV)M
500
A/
μ
s
(dv/dt)
cr
T
VJ
= T
VJM
;
R
GK
=
∞
; method 1 (linear voltage rise)
V
DR
= 2/3 V
DRM
500
V/
μ
s
P
GM
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
T(AV)M
t
P
=
t
P
=
30
μ
s
300
μ
s
5
W
W
W
2.5
0.5
P
GAV
V
RGM
10
V
T
VJ
T
VJM
T
stg
-40...+125
°
C
°
C
°
C
125
-40...+125
V
ISOL
50/60 Hz RMS; I
ISOL
≤
1 mA
2500
V~
T
L
1.6mm from case; 10s
260
°
C
F
C
Mounting force
11...65 / 2.4...11
N / lb
Weight
2
g
Features
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low cathode-to-tab capacitance (15pF
typical)
Planar passivated chips
Epoxy meets UL 94V-0
High performance glass
passivated chip
Long-term stability of leakage
current and blocking voltage
Applications
Motor control
Power converter
AC power controller
Light and temperature control
SCR for inrush current limiting
in power supplies or AC drive
Advantages
Space and weight savings
Simple mounting
98789 (5/01)
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CS19-08ho1C 功能描述:SCR 13 Amps 800V 1.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
CS19-08ho1S 功能描述:SCR 19 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
CS19-08ho1S-TUBE 功能描述:SCR 19 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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