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參數(shù)資料
| 型號： | CPH6311 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | CPH6311 |
CPH6311
No.6794-3/4
2
10
7
5
3
100
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
--0.1
--1.0
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--0.1
Drain Current, ID -- A
--0.01
--1.0
2
3
5 7
2
3
5 7
2
3
5 7
--10
0
--2
--4
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
--0.1
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
--1.0
2 3
5 7
--0.01
--10
--100
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
5
10
15
20
25
30
35
--9
--10
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
VGS -- Qg
G
VDS= --10V
ID= --5A
IT02284
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.5
60
1.0
80
100
120
1.5
1.6
2.0
140
160
A
IT02286
A S O
D
IDP= --20A
2
2
3
5
7
2
3
5
7
3
5
7
--10
--1.0
2
3
5
7
--100
--0.1
--0.01
IT02285
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
2
0.8mm)
100
1000
10000
7
5
3
2
7
5
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT02283
--0.1
1.0
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
S
VDD= --10V
VGS= --4.5V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT02282
Mounedonaceamcboad900mm
2
08mm
IT02280
0.01
1.0
7
5
3
2
0.1
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
3
2
F
y
yfs
-- ID
VDS= --10V
75
°
C
25
°
C
Ta= -25
°
C
IT02281
0
--0.4
--0.3
--0.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
--0.1
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--0.001
F
IF -- VSD
VGS=0
-5
°
C
2
°
C
T=5
°
C
ID= --5A
100m
DCopeaion
1ms
10ms
<10
μ
s
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.5
60
1.0
80
100
120
1.5
2.0
2.5
140
160
A
IT02642
MounedonaFR4boadPW
≤
5S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6312 | High-Speed Switching Applications |
| CPH6313 | High-Speed Switching Applications |
| CPH6315 | High-Speed Switching Applications |
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| CPH6332 | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CPH6311-TL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| CPH6312 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Speed Switching Applications |
| CPH6312-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 30V 5A SOT346 |
| CPH6313 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Speed Switching Applications |
| CPH6313-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 20V 4A SOT346 |
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