參數(shù)資料
型號(hào)： CPH3324
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： General-Purpose Switching Device Applications
中文描述： 通用開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商： CPH3324
CPH3324
No.8024-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Marking : JZ
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.2A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.2A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.2A
IS=--1.2A, VGS=0
6.4
1.0
1.0
nC
nC
nC
V
--0.87
--1.2
Package Dimensions
unit : mm
2152A
Switching Time Test Circuit
ID -- VDS
-.
V
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
D
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.0
--1.4
--1.2
--1.6
--1.8
--2.0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
160
140
0
--2
--4
--8
--10
--12
--6
--14
--16
--18
--20
IT07458
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.2
--0.6
--0.8
--1.0
0
300
400
500
600
700
800
900
1000
200
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--1.6
--0.4
--0.2
IT07456
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
IT07457
IT07459
200
400
300
500
600
700
900
800
1000
100
VDS= --10V
-
°
C
T7
°
C
Ta=25
°
C
ID= --0.6A
2
°
C
-0V
-3.0
V
-.
V
-.V
VGS= --2.0V
--2.5V
ID= -0.6A, VGS= -10V
ID=-06A VGS=-4V
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
0.05
0
0
0
1
0
0
1.9
1
2
3
2
0
2.9
0.15
0.4
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --600mA
RL=50
VDD= --30V
VOUT
CPH3324
VIN
0V
--10V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH3337 General-Purpose Switching Device Applications
CPH3338 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
CPH3410 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH3417 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH3418 Ultrahigh-Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPH3324-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
CPH3325 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH3325-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 0.3A SOT346
CPH3326 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH3327 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
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