參數(shù)資料
型號(hào)： CPH3121
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 49K
代理商： CPH3121
CPH3121 / CPH3221
No.7219-2/5
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Ratings
typ
(--110)115
(--165)175
(--)0.85
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
(--)1.2
(--)15
(--12)15
(--)5
(30)30
(90)210
(14)11
Package Dimensions
unit : mm
2150A
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
0.05
0
0
0
1
0
0
1.9
1
2
3
2
0
2.9
0.15
0.4
VR
RB=1k
VCC=5V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2=1.5A
For PNP, the polarity is reversed.
--20
--40
--60
--80
--100
--120
--140
--160
--180
--200
0
IC -- VCE
--0.6mA
0
--1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.5
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
IT04582
--5.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
0
IC -- VCE
0
IT04583
5.0
0
IC -- VCE
6mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.3
0.5
0.7
0.9
0.1
4.0
3.0
2.0
1.0
4.5
3.5
2.5
1.5
0.5
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
4.5
3.5
2.5
1.5
0.5
IT04585
--0.2
0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
IC -- VCE
--12mA
0
--0.2
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.1
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
IT04584
20mA
15mA
5mA
2mA
1mA
IB=0
10mA
25mA
40mA
4m
25mA
15mA
10mA
5mA
IB=0
1mA
2mA
20mA
CPH3221
CPH3121
CPH3221
--0.5mA
--0.1mA
--0.2mA
--
0.3mA
--0.4mA
IB=0
CPH3121
-4A
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
-m
IB=0
--0.8mA
--0.7mA
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CPH3140 High-Voltage Switching Applications
CPH3240 High-Voltage Switching Applications
CPH3322 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH3323 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
CPH3121_11 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
CPH3121-TL-E 功能描述:TRANS PNP BIPO 3A 12V CPH3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
CPH3122 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
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CPH3122-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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