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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CNY65EXI |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | CNY65EXI |
www.vishay.com
6
Document Number 83540
Rev. 1.6, 26-Oct-04
VISHAY
CNY64/ CNY65/ CNY66
Vishay Semiconductors
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Figure 6. Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 7. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 8. Relative Current Transfer Ratio vs. Ambient
Temperature
025
50
75
0
40
80
120
200
100
P
–
T
otal
Power
Dissipation
(
m
W
)
tot
Tamb– Ambient Temperature (°C )
160
Coupled Device
Phototransistor
IR-Diode
95 11003
0.1
1
10
100
1000
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VF - Forward Voltage(V)
96 11862
F
I
-
Forward
Current
(
m
A
)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–30 –20 –10 0 1020 304050607080
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
96 11911
CTR
–
Relative
Current
Transfer
Ratio
rel
VCE=5V
IF=10mA
Figure 9. Collector Dark Current vs. Ambient Temperature
Figure 10. Collector Current vs. Forward Current
Figure 11. Collector Current vs. Collector Emitter Voltage
1
10
100
1000
0
1020 3040 5060 7080 90 100
Tamb – Ambient Temperature (°C )
96 12000
I
–
Collector
Dark
Current,
CEO
with
open
Base
(
n
A
)
VCE=20V
IF=0
0.1
1
10
0.01
0.1
1
100
I
–
Collector
Current
(
m
A)
C
IF – Forward Current ( mA )
100
95 11012
10
VCE=5V
0.1
1
10
0.1
1
10
100
VCE – Collector Emitter Voltage(V)
100
95 11013
I
–
Collector
Current
(
m
A
)
C
5mA
2mA
1mA
IF=50mA
10mA
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