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參數(shù)資料
| 型號： | CNY65EXI |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | CNY65EXI |
www.vishay.com
4
Document Number 83540
Rev. 1.6, 26-Oct-04
VISHAY
CNY64/ CNY65/ CNY66
Vishay Semiconductors
Coupler
Insulation Rated Parameters
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Rated impulse voltage
VIOTM
8kV
Safety temperature
Tsi
150
°C
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Partial discharge test voltage -
Routine test
100 %, ttest = 1 s
Vpd
2.8
kV
Partial discharge test voltage -
Lot test (sample test)
tTr = 60 s, ttest = 10 s,
(see figure 2)
VIOTM
8kV
Vpd
2.2
kV
Insulation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
VIO = 500 V, Tamb = 150 °C
(construction test only)
RIO
109
Figure 1. Derating diagram
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Tamb(°C )
95 10922
Psi (mW)
Isi (mA)
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to DIN EN
60747-5-2(VDE0884)/ DIN EN 60747-; IEC60747
t
13930
t1, t2 = 1 to 10 s
t3, t4 = 1 s
ttest = 10 s
tstres = 12 s
VIOTM
VPd
VIOWM
VIORM
0
t1
ttest
tTr = 60 s
tstres
t3
t4
t2
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