參數(shù)資料
型號： CMPT3906E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 116K
代理商： CMPT3906E
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
60
V
Collector-Emitter Voltage
40
V
Emitter-Base Voltage
6.0
V
Collector Current
200
mA
Power Dissipation
350
mW
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ, Tstg
Θ
JA
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPT3904E
TYP
CMPT3906E
TYP
-
90
55
7.9
0.050
0.100
0.75
0.85
130
150
150
120
55
SYMBOL
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
MIN
-
60
40
6.0
MAX
50
-
-
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
-
115
60
7.5
0.057
0.100
0.75
0.85
240
235
215
110
50
0.100
0.200
0.85
0.95
0.65
90
100
100
70
30
300
CMPT3904E NPN
CMPT3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSITORS
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (28-August 2002)
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMPT3904E , CMPT3906E
are Enhanced versions of the CMPT3904, CMPT3906
complementary switching transistors in a SOT-23 surface
mount package, designed for small signal switching
applications, interface circuit & driver circuit applications.
Marking codes are C1AE and C2AE respectively.
Enhanced Specifications:
BV
CBO
from 40V min to 60V min. (CMPT3906E)
BV
EBO
from 5.0V min to 6.0V min. (CMPT3906E)
VCE(SAT)from 0.3V max to 0.2V max.(CMPT3904E)
from 0.4V max to 0.2V max.(CMPT3906E)
h
FE
from 60 to 70. (CMPT3904E) (CMPT3906E)
Enhanced specification.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPT404A TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-236AB
CMPT6517 TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | SOT-23
CMPT6520 TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
CMPTA14E TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500MA I(C) | SOT-23
CMPTA42E TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMPT3906G 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT3906G TR 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMPT3906GTR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Halogen Free RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPT3906-LEAD FREE 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 350mW RoHS 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 350mW RoHS - free partial T/R at 500.
CMPT3906TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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