參數(shù)資料
型號(hào)： CMLT2222A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-363VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|的SOT - 363VAR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： CMLT2222A
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT2207
type is a dual complementary silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for small signal general purpose and
switching applications.
Marking Code is L70.
Complementary Devices include:
1 x 2N2222A NPN Transistor
1 x 2N2907A PNP Transistor
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
NPN (Q1)
75
40
6.0
PNP (Q2)
60
60
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
600
350
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMLT2207
DUAL
COMPLEMENTARY
TRANSISTORS
SOT-563 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
NPN (Q1)
MIN
-
-
-
-
-
-
-
75
40
6.0
-
-
0.6
-
35
50
75
100
50
40
PNP (Q2)
MIN
-
-
-
-
-
-
-
60
60
5.0
-
-
-
-
75
100
100
100
-
50
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICBO
ICBO
IEBO
ICEV
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VCB=50V
VCB=60V, TA=125°C
VCB=50V, TA=125°C
VEB=3.0V
VCE=60V, VEB(OFF)=3.0V
VCE=30V, VEB(OFF)=500mV
IC=10
μ
A
IC=10mA
IE=10
μ
A
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=1.0V, IC=150mA
VCE=10V, IC=500mA
MAX
10
-
10
-
10
10
-
-
-
-
0.3
1.0
1.2
2.0
-
-
-
300
-
-
MAX
-
10
-
10
-
-
50
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
-
-
300
-
-
UNITS
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
R0 (21-February 2002)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMLT3904 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT3906 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT3946 TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT491E BJT
CMLT5078E TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-563F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMLT2222AG 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL NPN SMALL SIGNAL SILICON SWITCHING TRANSISTORS
CMLT2222AG BK 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
CMLT2222AG TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual NPN Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMLT2222ATR 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:
CMLT2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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