參數(shù)資料
型號(hào)： CMLT3906
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|進(jìn)步黨| 40V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|的SOT - 363VAR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 84K
代理商： CMLT3906
FEATURES:
SPACE SAVING
TWO NPN OR TWO PNP TRANSISTORS IN
A SINGLE PACKAGE
COMPLEMENTARY, ONE NPN AND ONE
PNP
TRANSISTOR IN A SINGLE PACKAGE
Marking Codes:
CMLT3904
CMLT3906
CMLT3946
L04
L06
L46
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMLT3904 (two single NPN), CMLT3906 (two single PNP), and CMLT3946
(one each NPN and PNP complementary) are combinations of transistors in a space saving SOT-563
package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
NPN
Collector-Base Voltage
VCBO
60
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
Collector Current
IC
Power Dissipation
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Thermal Resistance
Θ
JA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
PNP
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
200
350
-65 to +150
357
°C
°C/W
NPN
PNP
SYMBOL
ICEV
IBL
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
MIN
MAX
50
50
MIN
MAX
50
UNIT
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
60
40
6.0
40
40
5.0
0.20
0.30
0.85
0.95
0.25
0.40
0.85
0.95
0.65
0.65
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
300
300
CMLT3904 NPN
CMLT3906 PNP
CMLT3946 NPN/PNP
DUAL SMALL SIGNAL
SWITCHING TRANSISTOR
SOT-563
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 ( 11-February 2002)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMLT3946 TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT491E BJT
CMLT5078E TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-563F
CMLT5087E TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-563F
CMLT5088E TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-563F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMLT3906E 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Complementary Enhanced RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMLT3906E TR 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMLT3906EG 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMLT3906EG TR 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP Complementary Enhanced
CMLT3906ETR 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*