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參數(shù)資料
| 型號： | CMBTA43 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 硅外延三極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | CMBTA43 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
N–P–N transistors
Marking
CMBTA42 = 1D
CMBTA43 = 1E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CMBT A 42
max.
max.
max.
max.
max.
max.
A 43
200 V
200 V
V
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation up to T
amb
= 25 °C
Junction temperature
D.C. current gain
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V
Transition frequency at f = 35 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 20 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 20 V
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
300
300
6
500
250
150
mA
mW
° C
h
FE
min.
40
f
T
min.
50
MHz
C
re
max.
3
4
pF
CMBTA42
CMBTA43
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
SOT-23 Formed SMD Package
Continental Device India Limited
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CMBZ5222B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| CMBZ5223B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| CMBZ5224B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| CMBZ5225B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| CMBZ5226B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CMBTA44 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| CMBTA56 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Darlington Trans PNP,0.5A,80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA56-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA56T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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