型號: | CMBD226 |
廠商: | Continental Device India Limited |
英文描述: | SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODE |
中文描述: | 硅平面雙開關(guān)二極管 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 129K |
代理商: | CMBD226 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
CMBD2835 | SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES |
CMBD2836 | SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES |
CMBD4150 | SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE |
CMBD4448 | SILICON PLANAR SWITCHING DIODE |
CMBD914 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
CMBD2835 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES |
CMBD2836 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Gen Pur Rect 50V, 100nA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
CMBD2836-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
CMBD2836T/-W | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
CMBD4148 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Gen Pur Rect 75V,Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |