參數(shù)資料
型號： CMBD2835
廠商： Continental Device India Limited
英文描述： SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES
中文描述： 硅平面雙開關(guān)二極管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： CMBD2835
SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES
CMBD2835
CMBD2836
SOT-23
Formed SMD Package
Marking
CMBD2835 - A3
CMBD2836 - A2
High-Speed Switching Dual Diodes, Common Anode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Reverse Voltage CMBD2835
CMBD2836
Forward Current
Total Device Dissipation T
a
=25oC *
Derate above 25
o
C
Thermal Resistance Junction to
Ambient
Total Device Dissipation T
a
=25oC **
Derate above 25
o
C
Thermal Resistance Junction to
Ambient
Junction and Storage Temperature
SYMBOL
V
R
UNIT
V
V
mA
mW
mW/
o
C
I
F
P
D
R
th(j-a)
o
C/W
P
D
mW
mW/
o
C
R
th(j-a)
o
C/W
T
j
, T
stg
o
C
* FR-5 Board=25.4 x 19.05 x 1.58 mm (1.0 x 0.75 x 0.062 inches)
** Alumina Substrate=10.16 x 7.62 x 0.61 mm (0.4 x 0.3 x 0.024 inches) 99.5% alumina.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25o C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Reverse Breakdown Voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITION MIN
I
R
=100
μ
A
CMBD2835
CMBD2836
CMBD2835
V
R
=30V
TYP
MAX
UNIT
35
75
V
V
Reverse Voltage Leakage Current
I
R
100
nA
CMBD2836
V
R
=50V
V
R
=0V, f=1MHz
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 100 mA
I
F
=I
R
=10mA, i
R(REC)
=1.0 mA
100
4.0
nA
pF
Diode Capacitance
C
T
V
F
Forward Voltage
1.0
1.0
1.2
V
V
V
Reverse Recovery Time
t
rr
4.0
ns
1.8
300
2.4
- 55 to +150
556
417
VALUE
35
75
100
225
Pin Configuration
1 =
2 =
3 =
ANODE
CATHODE
CATHODE
3
1
2
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBD2836 SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES
CMBD4150 SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE
CMBD4448 SILICON PLANAR SWITCHING DIODE
CMBD914 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
CMBD99 SILICON EPITAXIAL GENERAL SWITCHING DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBD2836 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Gen Pur Rect 50V, 100nA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
CMBD2836-T 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
CMBD2836T/-W 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
CMBD4148 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Gen Pur Rect 75V,Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
CMBD4148-T 功能描述:穩(wěn)壓二極管 75V Signal RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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