參數資料
型號： CM300DY-12NF
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述： 大功率開關使用
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： CM300DY-12NF
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DY-12NF
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
R
r
(
R
r
(
Conditions:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.1
T
j
= 25
°
C
Inductive load
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
5
3
2
10
–
2
5
3
2
10
–
1
2 3 57
2 3 57
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
–
c
TMIE (s)
IGBT part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.16
°
C/W
FWDi part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.25
°
C/W
0
4
8
16
12
20
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 300V
V
CC
= 200V
I
C
= 300A
0
200
800
1400
1000
400
600
1200
1600
相關PDF資料
PDF描述
CM300DY-12 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM3001-13MA Analog IC
CM3002-16SA Analog IC
CM300DY12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 300A I(C)
CM300E3Y12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
相關代理商/技術參數
參數描述
CM300DY-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-24A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A A SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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