參數(shù)資料
型號(hào)： CM300DY-12NF
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述： 大功率開關(guān)使用
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： CM300DY-12NF
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DY-12NF
HIGH POWER SWITCHING USE
PERFORMANCE CURVES
600
500
400
100
300
200
00
4
6
8
10
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
T
j
= 25
°
C
12
11
10
9
V
GE
=
20V
2
15
13
8
4
3
2
1
00
200
600
400
500
300
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
100
10
8
6
4
2
0
20
12
14
6
8
10
16
18
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
T
j
= 25
°
C
I
C
= 600A
I
C
= 300A
I
C
= 120A
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
0
1
2
4
3
5
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
10
–
1
10
0
10
–
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0V
10
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
2
3
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
Conditions:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.1
T
j
= 125
°
C
Inductive load
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300DY-12 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM3001-13MA Analog IC
CM3002-16SA Analog IC
CM300DY12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 300A I(C)
CM300E3Y12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM300DY-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-24A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DY-24A_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY24E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
CM300DY-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*