參數(shù)資料
型號(hào): CM300DU-12F
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述: 大功率開(kāi)關(guān)使用
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商: CM300DU-12F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
0.5
1.5
2.5
3.5
1
2
3
4
0
100
200
300
400
500
600
0
7.5
1511
10
9.5
8
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
–1
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
2.5
3
2
1.5
1
0.5
0
600
0
200
400
5
4
3
2
1
0
16
18
20
6
8
10
12
14
10
0
10
1
2 3
5 7
10
2
2 3
5 7
10
3
2 3
5 7
10
1
10
0
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
V
GE
=20V
9
8.5
T
j
=25
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15V
I
C
= 600A
I
C
= 300A
I
C
= 120A
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.1
T
j
= 125
°
C
Conditions:
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
PERFORMANCE CURVES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300DU-12F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/600 Volts
CM300DU-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12H Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 300 Amperes/600 Volts
CM300DU-12NFH HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-24F HIGH POWER SWITCHING USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM300DU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12H 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A NFH SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE