參數(shù)資料
型號: CM3004-25SA
廠商: California Micro Devices Corporation
英文描述: 1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
中文描述: 1.0安培雙模式低壓差穩(wěn)壓器的CMOS
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商: CM3004-25SA
2004 California Micro Devices Corp. All rights reserved.
8
430 N. McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-5112
Tel: 408.263.3214
Fax: 408.263.7846
www.calmicro.com
01/10/05
CM3004
PRELIMINARY
Application Information
Figure 13. Application Circuit for Adjustable Output Operation.
Output Voltage = 1.20 (R1+R2) / R2 [VOLTS]
CM3004
IN
EN
OUT
GND
10
μ
F
100
n
F
V
OUT
GND
ADJ
V
IN
3.3V
10
μ
F
1.0A
R2
R1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM3004-25SF 1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
CM300DU-12F HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/600 Volts
CM300DU-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12H Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 300 Amperes/600 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM3004-25SF 制造商:CALMIRCO 制造商全稱:California Micro Devices Corp 功能描述:1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
CM300DU-12F 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A F SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12H 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE