參數(shù)資料
型號(hào)： CM3004-25SA
廠商： California Micro Devices Corporation
英文描述： 1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
中文描述： 1.0安培雙模式低壓差穩(wěn)壓器的CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： CM3004-25SA
2004 California Micro Devices Corp. All rights reserved.
6
430 N. McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-5112
●
Tel: 408.263.3214
●
Fax: 408.263.7846
●
www.calmicro.com
01/10/05
CM3004
PRELIMINARY
Performance Information (cont’d)
Typical Transient Characteristics (nominal conditions unless specified otherwise)
Nominal Conditions: C
IN
= 10μF, C
OUT
= 10μF
Figure 7. Load Transient Step Response
Figure 8. Enable/Disable Response
Figure 9. Enable/Disable Response
Figure 10. Load Transient Step Response
Figure 11. Enable/Disable Response
Figure 12. Enable/Disable Response
V
IN
=1.8V, V
OUT
=1.2V
C
IN
=10
μ
F ceramic,
C
OUT
=10
μ
F ceramic
10mA
1.0A
I
OUT
V
OUT
I
OUT
=10mA,
C
IN
=10
μ
F cer.,
C
OUT
=10
μ
F cer.
EN=1.8V=V
IN
EN=0V
V
OUT
=1.2V
V
OUT
=0V
I
OUT
=1.0A,
C
IN
=10
μ
F cer.,
C
OUT
=10
μ
F cer.
EN=1.8V=V
IN
EN=0V
V
OUT
=1.2V
V
OUT
=0V
V
IN
=3.3V, V
OUT
=2.5V
C
IN
=10
μ
F ceramic,
C
OUT
=10
μ
F ceramic
10mA
1.0A
I
OUT
V
OUT
I
OUT
=10mA,
C
IN
=10
μ
F cer.,
C
OUT
=10
μ
F cer.
EN=3.3V=V
IN
EN=0V
V
OUT
=2.5V
V
OUT
=0V
I
OUT
=1.0A,
C
IN
=10
μ
F cer.,
C
OUT
=10
μ
F cer.
EN=3.3V=V
IN
EN=0V
V
OUT
=2.5V
V
OUT
=0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM3004-25SF 1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
CM300DU-12F HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/600 Volts
CM300DU-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12H Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 300 Amperes/600 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM3004-25SF 制造商:CALMIRCO 制造商全稱(chēng):California Micro Devices Corp 功能描述:1.0 Amp Dual Mode Low-Dropout CMOS Regulator
CM300DU-12F 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A F SER RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12H 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A U SER RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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