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參數(shù)資料
| 型號： | CLS02 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Switching-Mode Power Supply (Secondary-Rectification) Applications (Low Voltage) |
| 中文描述： | 開關(guān)模式電源（二次更正）應(yīng)用（低電壓） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | CLS02 |
CLS02
2007-11-06
1
TOSHIBA Schottky Barrier Diode
CLS02
Switching-Mode Power Supply (Secondary-Rectification)
Applications (Low Voltage)
DC/DC Converter Applications
Forward voltage: V
FM
= 0.55 V (max)
Average forward current: I
F (AV)
= 10 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 40 V
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package:
“L
FLAT
TM
” (Toshiba package name)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
40
V
Average forward current
I
F (AV)
10 (Note.1)
A
Non-repetitive peak surge current
I
FSM
100 (50 Hz)
A
Junction temperature
T
j
40~125
°C
Storage temperature range
T
stg
40~150
°C
Note1: T
=
75°C
Rectangular waveform
(
α
=
180°), V
R
=
20 V
Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
V
FM (1)
I
FM
=
3.0 A (pulse test)
0.36
V
FM (2)
I
FM
=
5.0 A (pulse test)
0.41
V
Peak forward voltage
V
FM (3)
I
FM
=
10 A (pulse test)
0.5
0.55
I
RRM (1)
V
RRM
=
5 V (pulse test)
4.0
μ
A
Peak repetitive reverse current
I
RRM (2)
V
RRM
=
40 V (pulse test)
0.03
1.0
mA
Junction capacitance
C
j
V
R
=
10 V, f
=
1.0 MHz
420
pF
Thermal resistance
(junction to ambient)
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy
board
(board size: 50 mm
×
50 mm)
(board thickness: 1.6 t)
(soldering land)
Cathode 5.7 mm × 6.2 mm
Anode 4.5 mm × 3.4 mm
100
°C/W
Thermal resistance
(junction to lead)
R
th (j-
)
5
°C/W
Unit: mm
0.6
±
0.1
4
±
0
3
±
0
2
±
0
1
±
0
0
±
0
8
±
0
5
±
0
0
4
±
0.2
1.5
±
0.1
2.7
±
0.2
①
②
①
ANODE
②
CATHODE
1.2
±
0.1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3-4F1A
Weight: 0.15 g (typ.)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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