參數(shù)資料
型號(hào)： CLS03
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Switching-Mode Power Supply (Secondary-Rectification) Applications (Low Voltage)
中文描述： 開關(guān)模式電源（二次更正）應(yīng)用（低電壓）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： CLS03
CLS03
2006-11-13
1
TOSHIBA Schottky Barrier Diode
CLS03
Switching-Mode Power Supply (Secondary-Rectification)
Applications (Low Voltage)
DC/DC Converter Applications
Forward voltage: V
FM
= 0.58 V (max)
Average forward current: I
F (AV)
= 10 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 60 V
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package:
“L
FLAT
TM
” (Toshiba package name)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
60
V
Average forward current
I
F (AV)
10 (Note 1)
A
Non-repetitive peak surge current
I
FSM
100 (50 Hz)
A
Junction temperature
T
j
40~125
°C
Storage temperature range
T
stg
40~150
°C
Note 1: T
=
70°C
Rectangular waveform (
α
=
180°), V
R
=
30 V
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
V
FM (1)
I
FM
=
3.0 A (pulse test)
0.36
V
FM (2)
I
FM
=
5.0 A (pulse test)
0.41
Peak forward voltage
V
FM (3)
I
FM
=
10 A (pulse test)
0.53
0.58
V
I
RRM (1)
V
RRM
=
5 V (pulse test)
7.0
μ
A
Peak repetitive reverse current
I
RRM (2)
V
RRM
=
60 V (pulse test)
0.1
1.0
mA
Junction capacitance
C
j
V
R
=
10 V, f
=
1.0 MHz
345
pF
Thermal resistance
(junction to ambient)
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy
board
(board size: 50 mm
×
50 mm)
(board thickness: 1.6 t)
(soldering land)
Cathode 5.7 mm × 6.2 mm
Anode 4.5 mm × 3.4 mm
100
°C/W
Thermal resistance
(junction to lead)
R
th (j-
)
5
°C/W
Unit: mm
3
.
2
.
2
①
②
②
CATHODE
①
ANODE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3-4F1A
Weight: 0.15 g (typ.)
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PDF描述
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參數(shù)描述
CLS03(T6L,CANO-O,Q 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.58V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:345pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CLS03(T6L,SHINA,Q) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.58V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:345pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CLS03(TE16L,DNSO,Q 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.58V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:345pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CLS03(TE16L,PCD,Q) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.58V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:345pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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