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- TN0200T/Nch場效應(yīng)管MOSFET 20V 0.73A SOT-23/開關(guān) 驅(qū)動/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號:TN0200T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SI1031R/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET -20V -150mA SOT-523/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1031R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
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- SI1013X/開關(guān) 驅(qū)動/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-523
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1013X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.35A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.30
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- LED驅(qū)動電源IC 場效應(yīng)管 FDP20N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP20N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： led電源ic 驅(qū)動電源ic
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- AOS美國萬代 AO3416 MOS管場效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3416 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管美國mos管
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- TP0202T-T1/P溝道場效應(yīng)管MOS -20V -0.41A SOT-23/驅(qū)動/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號:TP0202T-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- 貼片 IR2104SPBF IR2104S MOSFET/IGBT驅(qū)動器半橋 IR
  
  類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IR2104SPBF | 功率:標準 | 封裝:SOP8 | 批號:最新批
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt驅(qū)動器 mosfet驅(qū)動器
- 5-499 個
  
  ￥2.80
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  ￥2.50
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- SI1031X/P溝道場效應(yīng)管MOS -20V -165mA SOT-523/開關(guān)驅(qū)動/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1031X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.35
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- AOS美國萬代場效應(yīng)管MOS管AOZ1242AI
  
  類型:驅(qū)動IC，驅(qū)動IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOZ1242AI | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:AOZ1020AI
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng)管美國mos管萬代mos管
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- FSFR2100 仙童 LED驅(qū)動芯片
  
  品牌:FS | 型號:FSFR2100 | 溝道類型:其他 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號:2011 | 封裝:SIP-9
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：驅(qū)動芯片仙童芯片
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- BSH112/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET 60V 0.3A SOT-23/驅(qū)動/飛利浦
  
  品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BSH112 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.25
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- SI1032X/N溝道場效應(yīng)管MOS 20V 210mA SOT-523/驅(qū)動開關(guān)/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1032X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.35
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- PMF3800SN/N溝道場效應(yīng)管MOS 60V 0.26A SOT-323/驅(qū)動開關(guān)/NXP
  
  品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMF3800SN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.23
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- TD350IDT ST先進的IGBT / MOSFET驅(qū)動器系列
  
  類型:驅(qū)動IC | 品牌:ST | 型號:TD350IDT ST廠家先進的IGBT / MOSFET驅(qū)動器系列原裝正品可售樣 | 用途:其他 | 封裝:SOP/DIP | 批號:2014+
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt驅(qū)動器 mosfet驅(qū)動器
- ≥10 PCS
  
  ￥8.00
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- LED驅(qū)動芯片 FAN6961 仙童
  
  品牌:FS | 型號:FAN6961 | 溝道類型:其他 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:2011 | 封裝:SOP-8
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：驅(qū)動芯片仙童芯片
- ≥2500 PCS
  
  ￥1.55
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- TC427EOA 功率器件 >MOSFET驅(qū)動芯片.MICROCHIP
  
  類型:單片機 | 品牌:MICROCHIP/微芯 | 型號:TC427EOA | 封裝:SOP8 | 批號:2011+
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：驅(qū)動芯片器件芯片 microchip芯片
- ≥10 PCS
  
  ￥3.00
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- CS6552 SOP-8內(nèi)置MOS 電源驅(qū)動芯片隔離集成電路芯片
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電源芯片集成電路芯片
- ≥1000 PCS
  
  ￥0.01
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- 貼片 IR2104SPBF IR2104S MOSFET/IGBT驅(qū)動器半橋
  
  類型:其他IC | 品牌:全新原裝 | 型號:IR2104SPBF | 封裝:SOIC
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt驅(qū)動器 mosfet驅(qū)動器
- 1-99 個
  
  ￥2.80
- 100-499 個
  
  ￥2.50
- ≥500 個
  
  ￥2.40
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- 2SK4067-N-TL-E/N溝道場效應(yīng)管MOS 30V 8A SOT-252/電機驅(qū)動/三洋
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK4067-N-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥700 個
  
  ￥0.75
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- 2SK727場效應(yīng)管/閃燈IC/音樂IC/驅(qū)動IC
  
  品牌:PHI IR ST SEC | 型號:2SK727 | 發(fā)貨期限:1 | 封裝:TO-220 TO-3P T0-251 T0-126
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：音樂閃燈ic ic閃燈
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