參數(shù)資料
型號(hào)： CGD1044HI
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率放大器
英文描述： Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
封裝： CGD1044HI<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： CGD1044HI
NXP Semiconductors
CGD1044HI
1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 29 September 2010
Document identifier: CGD1044HI
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11. Contents
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGD985HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGD985HCI 1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
CGD987HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGY1032 1 GHz, 32 dB gain GaAs push-pull amplifier
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CGD1044HI,112 功能描述:射頻放大器 1GHz,25 dB gain GaAs H-output PWR doubler RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
CGD1044HI/01A,112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHACGD1044HI/01A,112 1 GHZ, 25 DB GAIN G
CGD1044HI/01B,112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHACGD1044HI/01B,112 HYBRID AMPLIFIER MO
CGD1044HI112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
CGD1046HI,112 功能描述:射頻放大器 1CH 4.5dB 24V 450mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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