參數(shù)資料
型號(hào)： CFY67-08
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
中文描述： 伊雷爾K波段低噪聲砷化鎵超遷移率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 747K
代理商： CFY67-08
CFY67
S emiconductor Group
7 of 10
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source Noise-Parameters
CFY67-08: V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
f
NF
min
[GHz]
[dB]
[magn]
1
0,29
0,756
2
0,30
0,690
3
0,34
0,643
4
0,38
0,606
5
0,41
0,578
6
0,46
0,553
7
0,50
0,534
8
0,55
0,518
9
0,60
0,505
10
0,64
0,495
11
0,69
0,486
12
0,73
0,476
13
0,78
0,467
14
0,84
0,455
15
0,88
0,443
16
0,93
0,428
17
0,99
0,412
18
1,05
0,394
|
Γ
opt
|
<
Γ
opt
[angle]
14
28
43
58
73
87
102
116
131
145
159
173
-173
-160
-146
-132
-118
-103
R
n
[
]
15,60
14,65
13,56
12,10
10,53
8,86
7,16
5,62
4,29
3,23
2,53
2,22
2,37
2,96
4,01
5,47
7,26
9,61
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CFY67-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CGA633450A LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL
cgb 190 GaAs HBT(GaAs 場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CFY67-08 (P) 功能描述:射頻GaAs晶體管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
CFY67-08P 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08PE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
CFY6708PZZZA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:CFY6708PZZZA1 - Bulk
CFY67-10 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
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