- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378445 > CFY67-08 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CFY67-08 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| 中文描述： | 伊雷爾K波段低噪聲砷化鎵超遷移率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | CFY67-08 |
CFY67
S emiconductor Group
3 of 10
Draft D, S eptember 99
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
I
Dss
15
30
60
mA
Gate threshold voltage
V
DS
= 2 V, I
D
= 1 mA
-V
Gth
0.2
0.7
2.0
V
Drain current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
I
Dp
-
< 50
-
μA
Gate leakage current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
-I
Gp
-
< 50
200
μA
Transconductance
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
g
m15
50
65
-
mS
Gate leakage current at operation
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
-I
G15
-
< 0.5
2
μA
Thermal resistance
junction to soldering point
R
th J S
-
450
-
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CFY67-08P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-10 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-10P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CGA633450A | LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL |
| cgb 190 | GaAs HBT(GaAs 場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CFY67-08 (P) | 功能描述:射頻GaAs晶體管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| CFY67-08P | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
| CFY67-08PE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| CFY6708PZZZA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:CFY6708PZZZA1 - Bulk |
| CFY67-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。