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參數(shù)資料
| 型號： | CEP21A3 |
| 廠商： | Chino-Excel Technology Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | CEP21A3 |
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ Max Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
V
SD
V
GS
= 0V, Is = 12A
1.3
0.9
V
a
Notes
a.Pulse Test:PulseWidth 300
s, Duty Cycle 2%.
b.Guaranteed by design, not subject to production testing.
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. Capacitance
V
DS
, Drain-to Source Voltage (V)
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
I
D
,
I
D
,
4-169
CEP21A3/CEB21A3
600
500
400
300
200
100
0
5
10
15
20
25
30
Ciss
Coss
Crss
0
Figure 4. On-Resistance Variation with
Temperature
T
J
, Junction Temperature( C)
O
R
D
,
R
D
,
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
V
GS
=10V
I
D
=12A
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
=10,9,8,7,6V
V
GS
=3V
V
GS
=4V
V
GS
=5V
50
40
30
20
10
00
1
2
3
4
5
6
25 C
Tj=125 C
-55 C
4
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