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參數(shù)資料
| 型號： | CEP21A3 |
| 廠商： | Chino-Excel Technology Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | CEP21A3 |
30
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Nov. 2002
FEATURES
30V , 20A , R
DS(ON)
=45m
@V
GS
=10V.
Super high dense cell design for extremely low R
DS(ON)
.
High power and current handling capability.
TO-220 & TO-263 package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
-Pulsed
I
D
20
A
I
DM
60
A
Drain-Source Diode Forward Current
I
S
20
A
Maximum Power Dissipation
P
D
W
W/ C
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
-65 to 175
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
3.5
62.5
C/W
R
DS(ON)
=70m
@V
GS
=4.5V.
CEP21A3/CEB21A3
@Tc=25 C
Derate above 25 C
43
0.29
Drain Current-Continuous
S
G
D
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
CEP SERIES
TO-220
G
S
S
D
D
G
4-167
4
C/W
4
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