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參數(shù)資料
| 型號： | CBTU4411EE |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 開關(guān) |
| 英文描述： | 11-bit DDR2 SDRAM MUX-bus switch with 12 Ohm ON resistance |
| 封裝： | CBTU4411EE<SOT856-1 (LFBGA72)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT856-1.html<1<Always Pb-free,;CBTU4411EE<SOT856-1 (LFBGA72)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT856-1.html<1 |
| 文件頁數(shù)： | 19/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | CBTU4411EE |
CBTU4411_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 12 October 2009
8 of 20
NXP Semiconductors
CBTU4411
11-bit DDR2 SDRAM MUX/bus switch with 12
ON resistance
7.
Limiting values
[1]
The input and output negative voltage ratings may be exceeded if the input and output clamping current
ratings are observed.
8.
Recommended operating conditions
[1]
Vbias > 0.5 × VDD is reserved for test purposes only.
Table 6.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDD
supply voltage
0.5
+2.5
V
IIK
input clamping current
VI/O <0V
-
50
mA
VI
input voltage
S0, S1 pins only
V
except S0, S1 pins
0.5
+2.5
V
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Table 7.
Operating conditions
All unused control inputs of the device must be held at VDD or GND to ensure proper device operation.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
supply voltage
1.7
-
1.9
V
Vref
reference voltage
0.49
× VDD
0.50
× VDD
0.51
× VDD
V
Vbias
bias voltage
pull-down resistor input
[1] 0
0.30
× VDD
0.33
× VDD
V
VT
termination voltage
Vref 0.04
Vref
Vref + 0.04
V
Vi
input voltage
0
-
VDD
V
VIH(AC)
AC HIGH-level input voltage
S0, S1 inputs
Vref + 0.250 -
-
V
VIL(AC)
AC LOW-level input voltage
S0, S1 inputs
-
Vref 0.250
V
VIH(DC)
DC HIGH-level input voltage
S0, S1 inputs
Vref + 0.125 -
-
V
VIL(DC)
DC LOW-level input voltage
S0, S1 inputs
-
Vref 0.125
V
VIH
HIGH-level input voltage
EN, STREN, TERM pins
0.65
× VDD
--V
VIL
LOW-level input voltage
EN, STREN, TERM pins
-
0.35
× VDD
V
Tamb
ambient temperature
operating in free air
0
-
+85
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CBTV4020EE | 20-bit DDR SDRAM 2 : 1 MUX |
| CBTW28DD14ET | 14-bit bus switch-multiplexer for DDR2-DDR3 applications |
| CLRD701 | CLRD701 PEGODA Contactless smart card reader |
| CLRM701 | CLRM701 MIFARE and ICODE contactless reader module |
| CSTLA4M00G55-A0 | CERAMIC RESONATOR, 4 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CBTU4411EE,518 | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC 10BIT DDR SDRAM MUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
| CBTU4411EE,551 | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC 10BIT DDR SDRAM MUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
| CBTU4411EE,557 | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC 10BIT DDR SDRAM MUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
| CBTU4411EE-S | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC 10BIT DDR SDRAM MUX BUS SWITCH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
| CBTU4411EE-T | 功能描述:數(shù)字總線開關(guān) IC 10BIT DDR SDRAM MUX BUS SWITCH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:24 傳播延遲時間:0.25 ns 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:TSSOP-56 封裝:Reel |
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