參數(shù)資料
型號: BZW04P11
英文描述: High current MOSFET driver
中文描述: TRANSZORB瞬態(tài)電壓抑制器
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商: BZW04P11
BZW04-xx
5/6
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
Zth (j-a) ( C/W)
tp(s)
Fig.6:
Transientthermalimpedancejunctionambi-
entversus pulse duration (For FR4 PC Board
with L
lead
= 10mm).
Fig.5:
Peakforwardvoltagedropversuspeakforward
current (typical values for unidirectional types).
Note
: Multiply by 2 for units with VBR> 220V.
C (pF)
1
10
100
10
100
1000
10000
BZW04 -13B
BZW04 -26B
BZW04 -5V8B
BZW04- 58B
BZW04-171B
BZW04- 342B
V
(V)
R
Tj = 25C
f = 1 MHz
Fig. 4b:
Capacitance versus reverse applied
voltage for bidirectional types (typical values).
C (pF)
1
10
100
1
10
100
1000
10000
BZW04 13
BZW04 26
BZW04 5V8
BZW04 58
BZW04 171
BZW04 342
V
(V)
R
Tj = 25C
f = 1 MHz
-
-
-
-
Fig. 4a:
Capacitance versus reverse applied
voltage for unidirectional types (typical values).
Fig. 7 :
Relative variation of leakage current
versus junction temperature.
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PDF描述
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