參數(shù)資料
型號： BZV55-C3V3/T3
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： BZV55-C3V3/T3
BZV55_SER
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 26 January 2011
2 of 13
NXP Semiconductors
BZV55 series
Voltage regulator diodes
3.
Ordering information
[1]
The series consists of 74 types with nominal working voltages from 2.4 V to 75 V.
4.
Marking
5.
Limiting values
[1]
tp =100 s; square wave; Tj =25 C prior to surge
[2]
Device mounted on a ceramic substrate of 10
10 0.6 mm.
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on a ceramic substrate of 10
10 0.6 mm.
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BZV55-B2V4 to
BZV55-C75[1]
-
hermetically sealed glass surface-mounted
package; 2 connectors
SOD80C
Table 4.
Marking codes
Type number
Marking code
BZV55-B2V4 to BZV55-C75
marking band
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
IF
forward current
-
250
mA
IZSM
non-repetitive peak
reverse current
[1] -see
and 9
PZSM
non-repetitive peak
reverse power dissipation
[1] -40
W
Ptot
total power dissipation
Tamb 50 C
[2] -400
mW
Ttp 50 C
[2] -500
mW
Tstg
storage temperature
65
+200
C
Tj
junction temperature
65
+200
C
Table 6.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
-
380
K/W
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
-
300
K/W
相關PDF資料
PDF描述
BZV55C10 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
BZV85-C20 20 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
BZW04-256B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-48B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-9V4 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZV55C3V3-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 600Ohms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55C3V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55-C3V6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5% SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80; Zener Voltage Vz Typ:3.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:200C; Diode Case Style:SOD-80; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating ;RoHS Compliant: Yes
BZV55C3V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000
BZV55C3V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
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