參數(shù)資料
型號： BZV55-C3V3/T3
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： BZV55-C3V3/T3
BZV55_SER
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 26 January 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BZV55 series
Voltage regulator diodes
[1]
f = 1 MHz; VR =0V
[2]
tp = 100 s; square wave; Tj =25 C prior to surge
Table 9.
Characteristics per type; BZV55-B27 to BZV55-C75
Tj =25 C unless otherwise specified.
BZV55-
xxx
Sel
Working
voltage
VZ (V)
Differential resistance
rdif ()
Temperature
coefficient
SZ (mV/K)
Diode
capacitance
Cd (pF)[1]
Non-repetitive
peak reverse
current
IZSM (A)[2]
IZ =2mA
IZ =0.5 mA
IZ =2mA
Min
Max
Typ
Max
Typ
Max
Min
Typ
Max
27
B
26.5
27.5
65
300
25
80
18.0
22.7
25.3
50
1.0
C
25.1
28.9
30
B
29.4
30.6
70
300
30
80
20.6
25.7
29.4
50
1.0
C
28.0
32.0
33
B
32.3
33.7
75
325
35
80
23.3
28.7
33.4
45
0.9
C
31.0
35.0
36
B
35.3
36.7
80
350
35
90
26.0
31.8
37.4
45
0.8
C
34.0
38.0
39
B
38.2
39.8
80
350
40
130
28.7
34.8
41.2
45
0.7
C
37.0
41.0
43
B
42.1
43.9
85
375
45
150
31.4
38.8
46.6
40
0.6
C
40.0
46.0
47
B
46.1
47.9
85
375
50
170
35.0
42.9
51.8
40
0.5
C
44.0
50.0
51
B
50.0
52.0
90
400
60
180
38.6
46.9
57.2
40
0.4
C
48.0
54.0
56
B
54.9
57.1
100
425
70
200
42.2
52.0
63.8
40
0.3
C
52.0
60.0
62
B
60.8
63.2
120
450
80
215
58.8
64.4
71.6
35
0.3
C
58.0
66.0
68
B
66.6
69.4
150
475
90
240
65.6
71.7
79.8
35
0.25
C
64.0
72.0
75
B
73.5
76.5
170
500
95
255
73.4
80.2
88.6
35
0.2
C
70.0
79.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZV55C10 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
BZV85-C20 20 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
BZW04-256B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-48B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
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參數(shù)描述
BZV55C3V3-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 600Ohms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55C3V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZV55-C3V6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5% SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 5%, SOD-80; Zener Voltage Vz Typ:3.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:200C; Diode Case Style:SOD-80; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating ;RoHS Compliant: Yes
BZV55C3V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZV55C3V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
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