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參數(shù)資料
| 型號： | BZG03 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Voltage Regulator Diodes |
| 中文描述： | 10 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | BZG03 |
1996 Jun 07
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Voltage regulator diodes
BZG03 series
Note
1.
To complete the type number the suffix is added to the basic type number, e.g. BZG03-C130.
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
Device mounted on an Al
2
O
3
printed-circuit board, 0.7 mm thick; thickness of Cu-layer
≥
35
μ
m, see Fig.5.
Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer
≥
40
μ
m, see Fig.5.
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”
C130
124
130
141
110
300
0.09
0.13
5
1
100
C150
138
150
156
130
300
0.09
0.13
5
1
110
C160
153
160
171
150
350
0.09
0.13
5
1
120
C180
168
180
191
180
400
0.09
0.13
5
1
130
C200
188
200
212
200
500
0.09
0.13
5
1
150
C220
208
220
233
350
750
0.09
0.13
2
1
160
C240
228
240
256
400
850
0.09
0.13
2
1
180
C270
251
270
289
450
1000
0.09
0.13
2
1
200
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
25
100
150
K/W
K/W
K/W
note 1
note 2
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
REVERSE CURRENT
at REVERSE VOLTAGE
V
Z
(V) at I
Z
r
dif
(
) at I
Z
S
Z
(%/K) at I
Z
I
Z
(mA)
I
R
(
μ
A)
V
R
(V)
MIN.
NOM.
MAX.
TYP.
MAX.
MIN.
MAX.
MAX.
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PDF描述 |
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