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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZG03 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Voltage Regulator Diodes |
| 中文描述： | 10 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | BZG03 |
1996 Jun 07
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Voltage regulator diodes
BZG03 series
FEATURES
Glass passivatedb
High maximum operating
temperature
Low leakage current
Excellent stability
UL 94V-O classified plastic
package
Zener working voltage range:
10 to 270 V for 35 types
Supplied in 12 mm embossed tape.
DESCRIPTION
DO-214AC surface mountable
package with glass passivated chip.
The well-defined void-free case is of a
transfer-moulded thermo-setting
plastic.
Fig.1 Simplified outline (DO-214AC; SOD106) and symbol.
handbook, 4 columns
MSA473
cathode
band
Top view
Side view
k
a
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
P
tot
P
tot
total power dissipation
total power dissipation
T
tp
= 100
°
C; see Fig.2
T
amb
= 50
°
C; see Fig.2; device
mounted on an Al
2
O
3
PCB (see Fig.5)
t
p
= 100
μ
s; square pulse;
T
j
= 25
°
C prior to surge; see Fig.3
3.00
1.25
W
W
P
ZSM
non-repetitive peak reverse power
dissipation
storage temperature
junction temperature
600
W
T
stg
T
j
65
65
+175
+175
°
C
°
C
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PDF描述 |
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