參數(shù)資料
型號(hào)： BYV32EB
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Rectifier diodes ultrafast, rugged
中文描述： 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 52K
代理商： BYV32EB
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYV32E, BYV32EB series
Fig.7. Maximum t
rr
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.8. Maximum I
rrm
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
per diode; I
F
= f(V
F
); parameter T
j
Fig.10. Maximum Q
s
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Z
th j-mb
= f(t
p
).
1
10
trr / ns
1
10
100
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
10
1.0
1.0
10
100
-dIF/dt (A/us)
Qs / nC
IF=10A
5A
2A
1A
100
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
1us
10us
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
0.001
0.01
0.1
1
10
BYV32E
pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0
1
30
20
10
0
0.5
1.5
VF / V
IF / A
typ
max
Tj=150 C
Tj=25 C
July 1998
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV32E-150 -200 Rectifier diodes ultrafast, rugged(超快速、強(qiáng)化的整流二極管)
BYV32EBSERIES 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
BYV32F-150 Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32EX Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV32F-200 Rectifier diodes ultrafast, rugged
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參數(shù)描述
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BYV32EB200 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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