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參數(shù)資料
| 型號： | BYV32 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolation- Internal SMD Construction- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Efficiency to 80% |
| 中文描述： | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | BYV32 |
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast
BYV32 series
Fig.1. Definition of t
rr
, Q
s
and I
rrm
Fig.2. Definition of V
fr
Fig.3. Maximum forward dissipation P
= f(I
) per
diode; square current waveform where
I
F(AV)
=I
F(RMS)
x
√
D.
Fig.4. Maximum forward dissipation P
= f(I
) per
diode; sinusoidal current waveform where a = form
factor = I
F(RMS)
/ I
F(AV)
.
Fig.5. Maximum t
rr
at T
j
= 25 C; per diode
Fig.6. Maximum t
rr
at T
j
= 100 C; per diode
Qs
100%
10%
time
dI
dt
F
IR
IF
Irrm
trr
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
1.9
2.2
2.8
4
BYV32
IF(AV) / A
PF / W
Vo = 0.7 V
a = 1.57
Tmb(max) / C
150
145.2
140.4
135.6
130.8
126
Rs = 0.0183 Ohms
time
time
VF
Vfr
VF
IF
1
10
trr / ns
1
10
100
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
0
5
10
15
0
5
10
15
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
BYV32
IF(AV) / A
PF / W
Vo = 0.7 V
Tmb(max) / C
150
138
126
114
Rs = 0.0183 Ohms
D =
t
p
t
p
T
T
t
I
1
10
trr / ns
1
10
100
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=10A
IF=1A
Tj = 100 C
October 1994
3
Rev 1.100
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