參數(shù)資料
型號： BUZ900
英文描述： N-Channel Power MOSFET For Audio Application(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管(用于音頻電路))
中文描述： N溝道功率MOSFET為音頻應(yīng)用（不適用馬鞍山溝道功率型場效應(yīng)管（用于音頻電路））
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： BUZ900
MAGNA
Magnatec.
Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 10/94
BUZ900
BUZ901
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V — DRAIN – SOURCE VOLTAGE (V)
T = 25C
6V
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P
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W
I
D
V — DRAIN – SOURCE VOLTAGE (V)
T = 75C
6V
5V
4V
3V
2V
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V — GATE – SOURCE VOLTAGE (V)
V
D
T = 25C
I = 6A
I = 3A
I = 1A
0
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I
D
V — GATE – SOURCE VOLTAGE (V)
V = 10V
T = 100C
T = 25C
T = 75C
1
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100
1000
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0.1
1
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I
D
V — DRAIN – SOURCE VOLTAGE (V)
1
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D
C
OPE
R
A
T
I
O
N
T = 25C
BUZ900
BUZ901
0
1
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7
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0.1
1
10
100
G
F
I — DRAIN CURRENT (A)
T = 25C
T = 75C
V = 20V
Drain – Source Voltage
vs
Gate – Source Voltage
Typical Transfer Characteristics
Typical Output Characteristics
Typical Output Characteristics
Forward Bias Safe Operating Area
Transconductance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUZ901 N-Channel Power MOSFET For Audio Application(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管(用于音頻電路))
BUZ901DP N-Channel Power MOSFET For Audio Application(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管(用于音頻電路))
BUZ900DP N-Channel Power MOSFET For Audio Application(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管(用于音頻電路))
BUZ900CDP TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET
BUZ900D TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUZ900 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET N TO-3
BUZ900CDP 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET N-Channel 160V 16A TO-264
BUZ900D 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET N TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET, N, TO-3 制造商:SEMELAB 功能描述:MOSFET, N CH, 160V, 16A, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:160V; Power Dissipation Pd:250W; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET N-Channel 160V 16A TO-3
BUZ900D 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET N TO-3
BUZ900DP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
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