參數資料
型號： BUT18A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數： 2/12頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BUT18A
1999 Jun 11
2
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT18; BUT18A
DESCRIPTION
High-voltage, high-speed,
glass-passivated NPN power
transistor in a TO-220AB package.
APPLICATIONS
Converters
Inverters
Switching regulators
Motor control systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
base
collector; connected to
mounting base
emitter
3
Fig.1 Simplified outline (TO-220AB) and symbol.
dbook, halfpage
MBK106
1 2 3
3
2
1
MBB008
QUICK REFERENCE DATA
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT18
BUT18A
collector-emitter voltage
BUT18
BUT18A
collector-emitter saturation voltage
collector saturation current
collector current (DC)
collector current (peak value)
total power dissipation
fall time
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
1.5
4
6
12
110
0.8
V
V
V
A
A
A
W
μ
s
V
CEsat
I
Csat
I
C
I
CM
P
tot
t
f
see Fig.7
see Fig.2
see Fig.2
T
mb
≤
25
°
C; see Fig.4
resistive load; see Figs 10 and 11
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-mb
thermal resistance from junction to mounting base
1.15
K/W
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PDF描述
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參數描述
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