參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12F
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： BUT12F
1997 Aug 13
8
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12F; BUT12AF
Fig.13 Test circuit inductive load and reverse
bias SOAR.
V
CL
= up to 1000 V; V
CC
= 30 V; V
BE
=
1 to
5 V; L
B
= 1
μ
H;
L
C
= 200
μ
H.
handbook, halfpage
MGE246
+
IB
VBE
LB
LC
VCC
D.U.T.
VCL
Fig.14 Switching times waveforms with
inductive load.
handbook, halfpage
MGE238
tr
90%
10%
IB
IB on
IB off
IC on
90%
10%
IC
t
t
ts
toff
tf
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12AF Silicon diffused power transistors
BUT12AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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BUT230F 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
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參數(shù)描述
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BUT13 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAHGE POWER SWITCH
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BUT131A 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistors
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