參數(shù)資料
型號(hào)： BUT12AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： BUT12AF
1997 Aug 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12F; BUT12AF
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
Mounted
without
heatsink compound and 30
±
5 N force on centre of package.
Mounted
with
heatsink compound and 30
±
5 N force on centre of package.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Mounted
without
heatsink compound and 30
±
5 N force on centre of package.
ISOLATION CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-h
thermal resistance from junction to external heatsink note 1
5.5
3.9
55
K/W
K/W
K/W
note 2
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT12F
BUT12AF
collector-emitter voltage
BUT12F
BUT12AF
collector saturation current
BUT12F
BUT12AF
collector current (DC)
collector current (peak value)
base current (DC)
base current (peak value)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
V
V
I
Csat
65
6
5
8
20
4
6
23
+150
150
A
A
A
A
A
A
W
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
see Figs 2 and 4
see Fig.2
T
h
≤
25
°
C; see Fig.3; note 1
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
UNIT
V
isolM
C
isol
isolation voltage from all terminals to external heatsink (peak value)
isolation capacitance from collector to external heatsink
1500
12
V
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT14 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
BUT15 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
BUT230F 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
BUT230V 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUT12AI,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT12AX 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT12AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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